瑞银：未来10年中国料难赶上ASML极紫外光微影技术

跨国投行瑞银集团（UBS）分析师预估，中国半导体制造能力未来10年内可能仍难取得足够进展，以开发出可替代荷兰半导体设备厂艾司摩尔（ASML）尖端极紫外光（EUV）微影技术的可行方案。

综合路透社、BigGo Finance的消息，瑞银分析师的报告表示，中国目前的发展阶段约相当于艾司摩尔2004年的水准。

北京一直向国内晶片产业投入国家资本，以实现自给自足，但美国主导的尖端晶片制造设备出口限制，阻碍了这一过程。

总部位于荷兰的艾司摩尔是全球唯一生产先进微影机的厂商，这类设备对于制造先进半导体至关重要。中国是艾司摩尔的主要市场之一，但这家晶片设备巨头被禁止向中国出售极紫外光微影设备。

瑞银分析师根据专利活动判断，中国目前的技术成熟度，相当于艾司摩尔开始量产极紫外光微影设备的前15年阶段。

虽说如此，瑞银预计，中国将在2至5年内具备大规模制造浸润式深紫外线（DUV）微影机的能力。虽然DUV不如极紫外系统先进，但仍是晶片制造的关键设备，透过光线将复杂的电路图案印制在矽晶圆上。

路透社7月底曾引述消息人士证实中国开始生产国产DUV。

本文转自：TNT时报